KAIST, 산소 통로 기술로 차세대 AI 반도체 성능 향상

요약

KAIST 권지민 교수 연구팀이 UNIST 및 연세대학교와 공동으로 차세대 메모리 소자인 산화물 수직 채널 트랜지스터(VCT)의 성능과 안정성을 높이는 새로운 다층 층간 절연막 구조를 개발했다. VCT는 채널을 수직 방향으로 배치해 제한된 면적에 더 많은 소자를 집적할 수 있는 고집적 메모리 기술이다. 연구팀은 이번 구조를 통해 산소의 전용 통로를 마련함으로써 VCT 소자 내 결함을 획기적으로 줄이는 데 성공했다. 이를 통해 AI 반도체 구동에 필수적인 전력 효율성을 개선하고 소자 성능을 극대화할 수 있을 것으로 기대된다. 이번 연구 성과는 차세대 메모리 반도체의 고집적화 및 저전력 설계 기술 확보에 중요한 진전을 마련했다는 평가를 받는다.

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