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삼성전자, 'zHBM' 공개…AI 가속기 상단 적층으로 HBM5 대비 성능 8배 향상
차세대 3D 메모리 구조로 AI 가속기 병목 해소 기대. 하드웨어 스택 변화 주시 필요.
요약
삼성전자가 5일 미국 'FMS 2026'에서 차세대 3D 메모리 아키텍처 'zHBM'과 고성능 낸드 'zNAND-O'를 업계 최초로 공개했다. zHBM은 기존처럼 AI 가속기 옆에 메모리를 배치하는 방식이 아니라, 가속기 상단에 수직 적층하는 새로운 구조를 채택했다. 이를 통해 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 획기적으로 줄여, 기존 HBM5 대비 성능을 최대 8배 개선하고 전력 효율도 3배 향상시켰다. 데이터 병목 현상을 해소하고 전력 효율을 극대화한 이 기술은 향후 초고속 데이터 처리가 필수적인 AI 가속기 시장의 핵심 메모리 솔루션이 될 전망이다.
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원문 제목 삼성전자, HBM5 성능 8배 개선한 'zHBM' 공개..."옆 대신 위로 쌓았다"
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