IBS, 0.7nm급 차세대 반도체 소자 제작 기술 개발

요약

조문호 기초과학연구원(IBS) 반데르발스 양자 물질 연구단장 연구팀이 0.7nm급 모듈형 트랜지스터 제작 기술을 개발하고 해당 연구 결과를 16일 '사이언스'에 게재했다. 연구진은 2차원 반도체인 이셀레늄화텅스텐(WSe₂)을 기반으로 원자를 선택적으로 치환해 하나의 박막 내에 반도체, 절연체, 준금속 영역을 정교하게 구현하는 데 성공했다. 특히 이 기술을 통해 금속 전극과 반도체 간 에너지 장벽을 35.5meV까지 낮췄으며, 상온에서 전류 제어 성능인 서브임계 스윙(Subthreshold swing) 값이 61.3mV를 기록해 이론적 한계치에 근접했다. 또한, 1V의 낮은 전압에서 신호 반전이 가능한 인버터를 구현하여 적층형 집적회로로의 확장 가능성을 입증했다. 이번 성과는 향후 차세대 초미세·저전력 반도체 공정의 새로운 패러다임을 제시할 것으로 기대된다.

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